## Semi-conducteurs discrets

| Diode La diode simulée est une diode au silicium à température ambiante.

Tension directe à 20 mA | 0,7 V
Résistance parasite | 0 ohm
Courant maximum | 1 A
Tension inverse max. | 400 V

Diode Zener

Pour changer la tension de claquage inverse de la diode Zener, utilisez sa barre de commande. Ses autres paramètres sont :

Courant à tension (claquage) | 20 mA
Résistance apparente à 20 mA | 1,0 ohm
Dissipation de puissance max. | 5 W

Thyristor

Ses paramètres sont :

Courant d’accrochage | 6 mA
Courant de maintien | 5 mA
Courant de déclenchement de la grille | 0,2 mA
Courant maximum | 2 A
Tension maximale | 400 V

MOSFET

Grilles des MOSFET à canaux N ou à canaux P :

Pour plus de clarté, la quatrième borne du MOSFET, le substrat, n’apparaît pas dans le symbole. Il est implicite que le substrat est connecté à la source.

Les MOSFET ont des caractéristiques de fonctionnement et des limites de destruction similaires à de nombreux MOSFET électriques.

Tension de seuil de la grille | 1 V
Constante du MOSFET | 1 A / V²
Tension grille-source maximale | 20 V
Tension grille-drain maximale | 20 V
Tension drain-source maximale | 400 V
Courant drain-source maximum | 20 A

Transistors

Le transistor n-p-n simulé est un transistor au silicium.

Température | 25 ?C
Gain de courant direct | 100*
Gain de courant inverse | 5
Résistance ohmique de base | 0 ohm
Courant maximum | 2 A
Dissipation de puissance maximale | 1 W
Tension collecteur-émetteur maximale | 60 V
Tension collecteur-base maximale | 75 V
Tension émetteur-base maximale | 5 V

* Pour modifier le gain de courant direct, utilisez la barre de commande du transistor.

Le transistor p-n-p a les même paramètres que le transistor n-p-n.